三星表示，相比28nm，14nm工藝下可省電20%，同時(shí)得益三星的SiP-ePoP封裝技術(shù)，可整合DRAM、NAND閃存、電源管理IC等，在同樣100㎜²面積下?lián)碛懈喙δ芴匦裕腋叨葴p少30%，是新型SoC的一個(gè)范例。
目前已知的一個(gè)應(yīng)用實(shí)例是三星今年9月在德國(guó)IFA上發(fā)布的GearS3智能手表，其搭載的Exynos7270主頻1GHz，支持LTE，續(xù)航提升到4天一充（中度使用，開啟屏幕長(zhǎng)顯）。
