顯示技術(shù)發(fā)展邏輯的兩個重要要素是提升顯示效果與降低顯示功耗，在巨頭帶動效應下，當技術(shù)突破和產(chǎn)能釋放相結(jié)合時，會迎來顯示產(chǎn)業(yè)鏈的革命，今年OLED大爆發(fā)即是如此。Micro LED是繼OLED之后新一代的顯示技術(shù)，顯示效果與功耗雙優(yōu)，受巨頭垂青和布局，相關(guān)技術(shù)籌備歷經(jīng)多年，有望在新一代手表產(chǎn)品中率先應用，具備成為另一個顯示應用爆款的雛形。

　　

　　1.1.WHATISMicro LED？打造微米級像素間距顯示

　　

　　Micro LED技術(shù)是指在一個芯片上集成的高密度微小尺寸的LED陣列，每一個像素可定址、單獨由TFT驅(qū)動點亮，像素點距離在微米級。

　　

　　對比Micro LED&小間距LED，燈珠間距是核心差別

　　

　　小間距LED顯示屏由RGB三色芯片組成一個燈珠，燈珠經(jīng)封裝后安插在顯示屏上。封裝燈珠除了芯片外，其他封裝材料包括支架、硅膠、固晶膠等，占用了巨大的空間。故目前最小的小間距LED燈珠尺寸在0505，即0.5mmx0.5mm。而Micro LED單個顯示單元直接是微米等級的LED陣列，無需對單個顯示單元進行封裝，而是對整個模組進行封裝，故其單個顯示單元大小已經(jīng)可以做到微米級，目前已經(jīng)有10μmX10μm解決方案。

　　

　　燈珠大小決定像素間距：0505小間距封裝，封裝燈珠大小在0.5mm，則它的像素間距極限在0.5mm（如下圖左所示）。而10μmx10μmMicro LED，假設(shè)由紅、藍、綠三色顯示單元組成一個像素，10μm間距的Micro LED顯示單元，其像素間距理論上可以做到最小20μm（排列方式如下圖右所示）。

　　

　　小間距LED由于封裝間距的限制，很難應用到中小尺寸顯示上。如一臺55寸電視，如果要做到4K分辨率（4096x2160），則需要像素間距為0.29mm，目前小間距LED難以達到這樣的間距。而Micro LED微米級別的像素間距使其可以輕松勝任從中小尺寸顯示到中大尺寸顯示等各個應用場景。

　　

　　1.2.Micro LED應用：大屏顯示切入利基市場，小屏顯示潛在的替代方案

　　

　　1.2.1.大屏應用：

　　

　　大屏應用中Micro LED主要競爭對手正是同樣定位高端大屏顯示的小間距LED。Micro LED相對小間距LED，除了小間距LED也擁有的無拼縫、高亮度等優(yōu)勢外，還擁有可視角度大、亮度對比度更高、畫質(zhì)更好等優(yōu)勢：

　　

　　1）可視角度大：相較于傳統(tǒng)的小間距LED顯示屏，由于Micro LED晶片尺寸更小，光學設(shè)計上可以使得可視角度更開闊。

　　

　　2）對比度更高：單一大屏模組上，Micro LED光源占比僅1%，黑色比例高達90%，可以吸收外界光線，達到更好的對比效果。

　　

　　3）畫質(zhì)更好：支持HDR，擁有十位元色彩深度與更廣的色域。

　　

　　Micro LED價格顯著高于小間距LED，判斷在細分市場先發(fā)力。以索尼CLEDIS顯示屏作為參考，110寸Micro LED顯示大屏價格在60萬美元（等效間距約為1.25mm），而同等間距的小間距LED顯示屏價格約為10.7萬美元（P1.25）。

　　

　　未來伴隨Micro LED的良率提升，產(chǎn)品量產(chǎn)，預計價格仍有大幅下降空間。我們判斷Micro LED顯示大屏由于其更出色的顯示效果，將率先應用在包括美術(shù)館、高端車展等高端細分領(lǐng)域。

　　

　　1.2.2.小屏應用：競爭優(yōu)勢突出，次世代顯示技術(shù)

　　

　　在中小尺寸顯示領(lǐng)域，OLED顯示風頭正旺，大有取代LCD液晶屏之勢，我們判斷OLED之所以能受到各大終端廠商的青睞，正是因為其在反應時間、視角、顯色性、能耗等領(lǐng)域優(yōu)于液晶顯示。而Micro LED在光效、清晰度諸多指標上優(yōu)于OLED，僅從技術(shù)上看完全有機會取代OLED，有望成為繼OLED之后推動顯示質(zhì)量提升的次世代顯示技術(shù)。

　　

　　1）高光效，低功耗：OLED和Micro LED均采用主動自發(fā)光技術(shù)進行顯示，唯一的區(qū)別是OLED為有機材料自發(fā)光；Micro LED采用無機材料自發(fā)光。我們從原理角度闡釋為何Micro LED發(fā)光效率好于OLED。

　　

　　發(fā)光效率又稱為外量子效率，由兩個因素決定：內(nèi)量子效率和取出效率。內(nèi)量子效率是指器件內(nèi)部由復合產(chǎn)生的輻射光子數(shù)與注入器件的電子-空穴對數(shù)之比，取決于發(fā)光材料本身的特性和發(fā)光材料壘晶組成及結(jié)構(gòu)；取出效率則指的是發(fā)光器件內(nèi)部產(chǎn)生的光子，在經(jīng)過器件本身的吸收、折射、反射后，實際在器件外部可測量到的光子數(shù)目。

　　

　　Micro LED內(nèi)量子效率優(yōu)于OLED:OLED以有機物作為其發(fā)光材料，而Micro LED則與傳統(tǒng)的LED一樣，采用無機半導體材料構(gòu)成PN結(jié)。無機材料分子之間帶隙寬、化學鍵強，因此具有較大的載流子遷移率。這意味著電子可以在無機材料中高速通過。而有機材料多是非晶材料，分子間作用很弱，因而載流子的遷移率比無機半導體材料要小得多。電子在遷移的過程中隨時會受到來自周圍介質(zhì)的“襲擊”而湮滅，因此遷移速度越高，湮滅概率越小，發(fā)光效率也越高。從材料結(jié)構(gòu)來看，采用無機發(fā)光材料的Micro LED內(nèi)量子效率優(yōu)于OLED。

　　

　　Micro LED取出效率優(yōu)于OLED：OLED采用多層結(jié)構(gòu)，不同介質(zhì)之間的折射率不同，因此有機發(fā)光層發(fā)出的光會被正面結(jié)構(gòu)全反射掉一部分。光從有機發(fā)光層出發(fā)，40%的光被背部基板吸收，穿過正面各層消耗40%的光，最后的取出效率大約為20%。而Micro LED預期采用出光效率更高的倒裝封裝工藝，可以避免電極對光線的吸收，同時剝離襯底以后，光線直接出射，解決藍寶石對出光的影響。據(jù)了解采用倒裝結(jié)構(gòu)的LED器件取出效率可達20%以上！

　　

　　高發(fā)光效率主要體現(xiàn)在器件的節(jié)能性上，據(jù)測算在相同的亮度下，Micro LED比OLED約省電50%?。?）對于手機而言，屏幕耗電占整體耗電量可達40%~80%。Micro LED耗電量大約為OLED的50%，LCD的10%。（2）對于智能手表而言，主要耗電量在于CPU和顯示屏，如果將智能手表的屏幕從當前的OLED改用Micro LED，手表續(xù)航時間有望提升50%，從1天延遲到1.5天。

　　

　　2）畫質(zhì)好，輕易實現(xiàn)高PPI：

　　

　　OLED中小尺寸顯示屏進行顏色顯示一般采用蒸鍍技術(shù)，通過電流加熱/離子加熱將紅、綠、藍三色有機發(fā)光體轟擊至ITO玻璃基板上，采用高精度金屬光罩（FinemetalMask）進行顏色對齊。當像素因提高分辨率而變小時，F(xiàn)MM在為像素進行圖像成形時會有凹陷的問題，這也是限制OLED分辨率提升的重要因素，且在像素點間距進一步縮小后，實現(xiàn)精準的色素對位變得更加困難。

　　

　　而Micro LED采用半導體微細加工技術(shù)，可以將芯片尺寸控制在幾微米，畫質(zhì)提升潛力巨大。以iphone7的4.7英寸屏幕為例，當前屏幕的分辨率為1334×750，PPI為327。若采用10μm間距的Micro LED（10μm是目前業(yè)界做到的最小間距），手機可以輕松實現(xiàn)8KK顯示。

　　

　　3）超高亮度，強光下實現(xiàn)良好的顯示效果：

　　

　　LED的一大特性便是超高亮度，從大屏來看，戶外LED大屏顯示亮度普遍在8000nits以上，在陽光直射下也能清晰的看清屏幕上的文字。而OLED屏由于發(fā)光材料的限制，發(fā)出的光相對更柔和，在戶外高亮環(huán)境的表現(xiàn)比LED要差。三星note7OLED顯示屏亮度為1000nits，已經(jīng)是最亮的OLED顯示屏，與LED超高亮度的表現(xiàn)仍然有差距。

　　

　　除此以外，Micro LED還有著和OLED屏幕一樣高對比度、廣色域、高反應速度等優(yōu)點。高對比度：Micro LED顯示上每個像素都是由若干微型LED構(gòu)成，顯示黑色只要對應LED不發(fā)光，不會出現(xiàn)傳統(tǒng)顯示器泛白的現(xiàn)象。LCD的對比度不會超過5000:1，但沒有漏光現(xiàn)象的OLED與Micro LED對比度理論上可達無窮，索尼的CLEDIS目前達到1000000:廣色域：Micro LED的色彩飽和度可達140%NTSC，而一般LCD顯示屏的色域只有65%-75%。反應速度快。反應速度比LCD快10倍，非常適合VRAR等對反應速度有較高需求的可穿戴設(shè)備應用。

　　

　　1.2.3.看好Micro LED首先應用在智能手機&可穿戴設(shè)備等中小屏顯示應用場景

　　

　　中小尺寸面板應用在手機、可穿戴設(shè)備等，一方面近距離下畫質(zhì)改善能使用戶體驗改善；另一方面移動設(shè)備續(xù)航能力越來越受到用戶的重視。這兩個需求完美契合Micro LED的特點。

　　

　　自從蘋果發(fā)布了視網(wǎng)膜屏幕以來，手機廠商對于屏幕質(zhì)量的重視程度與日俱增，以今年發(fā)布的主要機型來看，PPI普遍超過了去年九月的IPhone7的327，其中三星旗艦Galaxynote8達到515。Micro LED可以更輕松的實現(xiàn)高清顯示。而對于智能手表，對PPI要求高的同時，由于經(jīng)常要在室外使用，對屏幕亮度也有著較高需求。Micro LED更易實現(xiàn)高亮顯示，也更契合智能手表的應用需要。

　　

　　續(xù)航問題是當下手機行業(yè)的一大痛點，提升屏幕質(zhì)量和手機性能等方面都意味著耗費能量的增多。大多手機需要一天一充，從網(wǎng)絡上的評測可見，保持200nits屏幕亮度下，大多手機撐不到10個小時。屏幕耗電占據(jù)整體耗電量可達40%~80%，低功耗技術(shù)可以大大延伸手機使用時間。對于智能手表而言同樣如此，目前蘋果手表續(xù)航也僅有18個小時，誰也不想在運動途中室外手表沒電，提高手表續(xù)航能力符合大眾需求！

　　

　　以智能手機和可穿戴設(shè)備為代表的中小尺寸應用若引入Micro LED顯示，將帶來行業(yè)的又一次震動和輪轉(zhuǎn)。原因在于Micro LED節(jié)能效果更優(yōu)于OLED。中小尺寸顯示應用快速發(fā)展，尤其是存量規(guī)模巨大的智能手機市場需求變動——追求顯示效果的同時致力于提高手機續(xù)航時間，引發(fā)面板的結(jié)構(gòu)變動和品質(zhì)提高。

　　

　　低延時&視覺模擬，契合VR設(shè)備應用

　　

　　目前以SonyPlaystation和微軟OculusRift為代表的主流VR設(shè)備分辨率一般為2K，在近距離接觸人眼的VR頭顯中，2K的分辨率還是可以看到圖像像素邊緣的“鋸齒感”。對于人眼而言，人眼的視角在1度能只能看到60個像素，所以對于人眼在水平和垂直各1度的小方塊里需要有60*60個像素，以達到視網(wǎng)膜界別體驗。人在雙眼水平方向具有120度視角，垂直135度視角，整個視野范圍人眼的像素極限是1億1600萬像素，對應分辨率要達到16K才能實現(xiàn)無鋸齒顯示！采用Micro LED，一方面采用20微米間距燈珠即可使頭顯設(shè)備實現(xiàn)16K顯示，另一方面，Micro LED采用像素級定址、各個單獨驅(qū)動的方式，采用眼球追蹤技術(shù)，可以著重渲染人眼聚焦的范圍，更適合于實現(xiàn)局部分辨率的強化和背景的虛化，模擬真實人眼視覺效果！

 

　　

　　Micro LED在納秒級別的響應速度保證低余暉顯示，降低延時。顯示器上的像素點被點亮的時間為余輝時間，LCD屏由于背光源發(fā)光，像素點在每一幀都是被點亮的，稱為全余暉屏。余暉會導致視覺效果產(chǎn)生拖尾現(xiàn)象，從而使人產(chǎn)生頭暈。為了降低余暉，除了提高刷新率外，就是增加反應速度。VR設(shè)備延時的最主要原因是顯示屏延時，占比達60%以上。Oculus的總延時為19.3ms，其中顯示屏延時為13.3ms。Micro LED響應速度媲美OLED顯示，有望將顯示屏延時降至當前的十分之一。故我們認為Micro LED是應用在VR器件商的優(yōu)異屏幕選擇。

　　

　　

　　LED顯示屏由商業(yè)顯示過渡向消費級顯示。LED顯示技術(shù)逐漸從商業(yè)級顯示切入消費級顯示，其已經(jīng)吸引了蘋果和索尼這兩家追求技術(shù)極致的消費電子巨頭，在該技術(shù)的發(fā)展歷程扮演著引導者的角色。索尼和蘋果在LED顯示領(lǐng)域代表兩大技術(shù)與應用方向:

　　

　　索尼瞄準大屏應用

　　

　　l索尼瞄準以商用顯示及高端家庭影院為代表的大尺寸Micro LED顯示。目前索尼220英寸4KMicro LED顯示屏售價為1.2億日元，約合700萬人民幣。索尼也將繼續(xù)發(fā)力Micro LED技術(shù)在電視大屏領(lǐng)域的應用。Micro LED微型化技術(shù)何時進入應用量產(chǎn)階段，備受業(yè)界關(guān)注，日前，Sony在美國消費電子展(CES)推出最新的CLEDIS大型顯示器，凸顯Micro LED在商用顯示器市場即將開啟新戰(zhàn)場。

　　

　　蘋果布局Micro LED中小尺寸顯示

　　

　　l蘋果瞄準的則是以手表、手機為代表的中小尺寸顯示，其運用到的技術(shù)正是Micro LED技術(shù)，即LED的微縮化與矩陣化技術(shù)。為了使LED顯示屏在手機、手表上也保持較高的分辨率，Micro LED燈珠間距需要遠小于小間距屏：Micro LED燈珠間距在1-100μm，其間距是當今最先進的P0.7小間距顯示的1/700-1/7！Micro LED采用的技術(shù)手段也與傳統(tǒng)的小間距LED完全不同，摒棄了傳統(tǒng)的LED芯片封裝->貼合基板->顯示的形式，采用芯片“無封裝”結(jié)構(gòu)，通過轉(zhuǎn)移技術(shù)將裸芯片直接連接于基板上。Micro LED概念最早由初創(chuàng)公司luxvue提出，蘋果于2014年5月收購luxvue，并于2015年4月于臺灣龍?zhí)对O(shè)廠研發(fā)，完成對Micro LED的技術(shù)儲備。

　　

　　為什么蘋果要布局Micro LED?目前中小尺寸顯示屏的發(fā)展趨勢是從LCD液晶屏向OLED屏發(fā)展，而OLED又是三星一家獨大，從技術(shù)儲備上看，蘋果并不占據(jù)優(yōu)勢。從蘋果的戰(zhàn)略角度而言，布局Micro LED，可以減少在顯示屏領(lǐng)域?qū)θ堑囊蕾?，因此我們預計蘋果一旦Micro LED技術(shù)成熟，蘋果將會有意愿將其應用到其消費電子產(chǎn)品領(lǐng)域。從過往的經(jīng)驗而言，蘋果若在AppleWatch引入Micro LED，并最終延伸到手機屏，將會引發(fā)效仿效應，Micro LED或再次引領(lǐng)一輪消費電子流行潮流。

　　

　　1.3.2.核心技術(shù)日漸成熟

　　

　　Micro LED技術(shù)逐漸成熟：Luxvue作為Micro LED的“創(chuàng)始人”，已經(jīng)儲備了60多項涵蓋從mircoLED驅(qū)動、電極結(jié)合、批量生產(chǎn)的相關(guān)專利；Leti開發(fā)的單色Micro LED屏幕亮度已經(jīng)達到百萬nits；X-celeprint推出轉(zhuǎn)印方案，解決Micro LED核心技術(shù)難題，燈珠轉(zhuǎn)印問題。伴隨Micro LED技術(shù)日漸成熟，其商用化進程也有望急速推進：根據(jù)TrendForce預計，Micro LED應用將率先從小尺寸引入市場，在2018年配有Micro LED的智慧型穿戴裝置（智能手表）就有希望實現(xiàn)量產(chǎn)。

　　

　　1.3.3.內(nèi)生外延，產(chǎn)業(yè)鏈上下游加碼Micro LED投資

　　

　　Micro LED資本投入提速，產(chǎn)業(yè)鏈上下游從終端、芯片、屏幕等各個企業(yè)通過內(nèi)生、外延等方式積極開發(fā)Micro LED成品：芯片端，LED芯片巨頭晶電、三安、日亞化、隆達、華燦都在積極布局Micro LED技術(shù)。應用端，蘋果&索尼積極推進Micro LED產(chǎn)品落地。而面板大廠夏普（鴻海）也開始發(fā)力Micro LED，公司透過子公司CyberNet投資約資1,000萬美元取得Micro LED相變轉(zhuǎn)移技術(shù)領(lǐng)先企業(yè)eLux45.45%股份，屆時泛鴻海集團將成為eLux最大股東。產(chǎn)業(yè)鏈上下游對Micro LED投資熱情高漲，我們認為Micro LED產(chǎn)品落地時間將提速。

　　

　　1.3.4.MiniLED技術(shù)突飛猛進，推進Micro LED商用進程

　　

　　MiniLED技術(shù)近半年在業(yè)界引爆熱潮，被視為OLED到Micro LED的過渡技術(shù)。相比于Micro LED，MiniLED技術(shù)難度低些，更容易實現(xiàn)量產(chǎn),并且可以大量開發(fā)液晶顯示背光源市場，產(chǎn)品經(jīng)濟性更佳。2017年，晶電、隆達電子、三安光電等大廠相繼布局，推動MiniLED技術(shù)突飛猛進。

　　

　　群創(chuàng)光電積極投入MiniLED背光面板，由于MiniLED在色彩對比性以及銳利度均可與OLED匹敵，因此群創(chuàng)積極投入MiniLED背光技術(shù)，大陸手機品牌廠包含華為、小米均與群創(chuàng)共同合作設(shè)計產(chǎn)品，今年今年下半年開始供應，進入量產(chǎn)。同時，值得一提的是，群創(chuàng)光電深耕多年研發(fā)主動式次毫米發(fā)光二極體（AMMiniLED）技術(shù)，作為Micro LED問世前的中期戰(zhàn)略產(chǎn)品。在2018年美國消費性電子展（CES）中，群創(chuàng)所開發(fā)的第一個AMMiniLED車用面板，也正式于全球首度公開亮相。群創(chuàng)此次展出具有數(shù)千調(diào)光區(qū)域的10.1英寸AMMiniLED產(chǎn)品，有別于其他廠商研發(fā)的MiniLED，群創(chuàng)差異化技術(shù)在于采用TFT形成的主動式矩陣電路（ActiveMatrix，簡稱AM）來驅(qū)動MiniLED，相較傳統(tǒng)LED背光源驅(qū)動電路架構(gòu)需使用過多元件的MiniLED，AMMiniLED性能優(yōu)勢強，且較非AMMiniLED更具有價格競爭優(yōu)勢。在此次大會中，LGDisplay首次公開展示65英寸UHD可卷曲電視和55英寸透明顯示產(chǎn)品、松下推出兩款率先支持HDR10+標準的OLED電視。

　　

　　從MiniLED到AMMiniLED，MiniLED技術(shù)的迅速發(fā)展定將加快Micro LED的發(fā)展進程。

　　

　　

　　Micro LED技術(shù)工藝按照實現(xiàn)方式的不同，可以分為芯片級焊接外延級焊接和薄膜轉(zhuǎn)移三種：

　　

　　芯片級焊接（chipbonding）：將LED直接進行切割成微米等級的Micro LEDchip，再利用SMT技術(shù)或COB技術(shù)，將微米等級的Micro LEDchip一顆一顆鍵接于顯示基板上。

　　

　　外延級焊接（waferbonding）：在LED的磊晶薄膜層上用感應耦合等離子離子蝕刻(ICP)，直接形成微米等級的Micro-LED磊晶薄膜結(jié)構(gòu)，再將LED晶圓(含磊晶層和基板)直接鍵接于驅(qū)動電路基板上，，最后使用物理或化學機制剝離基板，僅剩Micro-LED磊晶薄膜結(jié)構(gòu)于驅(qū)動電路基板上形成顯示像素。

　　

　　薄膜轉(zhuǎn)移：通過剝離LED基板，以一暫時基板承載LED外延薄膜層，再利用感應耦合等離子蝕刻，形成微米等級的Micro LED外延薄膜結(jié)構(gòu)；或者先利用感應耦合等離子離子蝕刻，形成微米等級的Micro LED外延薄膜結(jié)構(gòu)，通過剝離LED基板，通過暫時基板承載LED外延薄膜結(jié)構(gòu)。

　　

　　目前以索尼為代表的Micro LED大屏應用主要采用芯片級焊接的方式；而蘋果則在推動薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù)，該技術(shù)作為中小尺寸顯示更為合適。在此我們僅對蘋果擬采用的薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù)作介紹：Micro LED薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù)流程可以簡單描述為1）Micro LED芯片制備；2）Micro LED芯片轉(zhuǎn)移；3）搭載TFT基板和驅(qū)動IC，既而完成產(chǎn)品封裝。

　　

　　2.2.Micro LED芯片制備，倒裝工藝是大趨勢

　　

　　Micro LED芯片制備流程與傳統(tǒng)LED芯片類似，僅以藍綠光芯片為例介紹生產(chǎn)流程：通過在藍寶石襯底材料上進行PSS圖形襯底、LED外延生長、芯片加工處理等技術(shù)環(huán)節(jié)，出產(chǎn)LED芯片。Micro LED芯片從尺寸上相對普通LED芯片小得多（幾微米），但是現(xiàn)有的刻蝕技術(shù)完全可以處理微米級別的芯片，從技術(shù)上并不存在特別大的難點。以下僅對LED芯片生長的各環(huán)節(jié)作簡要介紹：

　　

　　Ø藍寶石襯底生長外延片（藍綠光LED正裝芯片）

　　

　　首先對藍寶石材料進行PSS圖形化襯底，該步驟的目的是通過在藍寶石襯底表面上刻蝕出規(guī)則排列的圓錐體來實現(xiàn)光在襯底內(nèi)的多次反射，從而達到芯片外部光的取光效率的提升。此后在PSS層上依次生長非摻雜緩沖層（U-GaN）、N型氮化鎵（N-GaN）、有源層（MQWs,多量子阱）、P型氮化鎵層（P-GaN）。

　　

　　圖19：圖形化藍寶石襯底（PSS工藝）

　　

　　圖20：藍寶石襯底上生長外延片

　　

　　ØLED芯片處理

　　

　　LED外延片再經(jīng)過一系列光刻、臺階刻蝕、ITO蒸鍍、電極制作、保護層蒸鍍、襯底減薄、背鍍反射層等工藝，形成LED芯片結(jié)構(gòu)。

　　

　　Micro LED極有可能采取倒裝LED芯片工藝

　　

　　LED芯片結(jié)構(gòu)分為正裝結(jié)構(gòu)，垂直結(jié)構(gòu)和倒裝結(jié)構(gòu)。由于垂直結(jié)構(gòu)應用較少，此處僅討論正裝結(jié)構(gòu)和倒裝結(jié)構(gòu)。相對正裝LED芯片，倒裝LED芯片自下而上分別為藍寶石襯底、N型GaN層、有源層、P型GaN層、金屬層、P電極和N電極。倒裝結(jié)構(gòu)與正裝結(jié)構(gòu)主要差別：1）倒裝芯片正負電極可以設(shè)計在一個平面上，使連接更方便；2）LED倒裝芯片電極與電極間不需要金線連接，正負極直接與基板接觸，結(jié)構(gòu)更簡單，且可靠性提高；3）剝離藍寶石基板，取光效率增加。

　　

　　Micro LED后續(xù)制作過程中（參看下一節(jié)），將通過轉(zhuǎn)移技術(shù)，使芯片的正負電極直接與基板連接。由于芯片尺寸非常小，留給正裝芯片的引線布線空間不足，故我們預計Micro LED將更可能采用電極和基板直接鍵合的形式，這個形式就非常類似于芯片的倒裝封裝結(jié)構(gòu)，只是芯片倒裝封裝結(jié)構(gòu)是封裝一顆燈珠，而Micro LED顯示屏是將數(shù)顆Micro LED燈珠先與基板直接連接，再進行封裝。

　　

　　從芯片角度看，直接將芯片的正負極與基板連接，當然可以把正裝芯片倒過來，用正裝芯片實現(xiàn)倒裝封裝形式。但是1）正裝芯片的p電極和n電極不在一個平面上，要用正裝芯片實現(xiàn)倒裝封裝，需要制作特殊的金屬凸點，使不在一個平面上的p電極和n電極與基板相連；2）此外正裝芯片包含金線，本身結(jié)構(gòu)也更復雜，影響LED燈珠的出光效果。我們預期Micro LED將采用正負極在一個平面上，且出光效率更高的類倒裝芯片結(jié)構(gòu)。而除了倒裝結(jié)構(gòu)外，垂直結(jié)構(gòu)LED芯片也比較適合做為Micro LED，在此不作展開。

　　

　　2.3.Micro LED芯片轉(zhuǎn)移工藝：Micro LED工藝最難點

　　

　　Micro LED芯片為何要轉(zhuǎn)移？傳統(tǒng)的LED顯示屏在芯片切割完畢后，直接對整顆LED燈珠進行封裝，驅(qū)動電路與芯片正負極連接，驅(qū)動封裝好的燈珠；而Micro LED在光刻步驟后，并不會直接封裝，這是由于封裝材料會增大燈珠體積，無法實現(xiàn)燈珠間的微距。需要將LED裸芯片顆粒直接從藍寶石基板轉(zhuǎn)移到硅基板上，將燈珠電極直接與基板相連。

　　

　　目前Micro LED轉(zhuǎn)移的技術(shù)有范德華力、靜電吸附、相變化轉(zhuǎn)移和雷射激光燒蝕四大技術(shù)。其中范德華力、靜電吸附及雷射激光燒蝕方式是目前較多廠商發(fā)展的方向，但是elux的專利布局是在相變化修復及轉(zhuǎn)移的技術(shù)方面，較其他公司的轉(zhuǎn)移技術(shù)有著不同之處。

　　

　　Luxvue采用離子薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù)進行Micro LED的燈珠轉(zhuǎn)移，首先將燈珠金屬層與臨時基板進行貼合，通過范德華力、靜電吸附及雷射激光燒蝕等方式以吸附Micro LED燈珠。此后，通過物理或化學腐蝕的方法，除去藍寶石基板，僅保留此前光刻后成型的Micro LED燈珠。之后將生成好的燈珠向硅基板上轉(zhuǎn)移，完成Micro LED顯示屏的制備。

　　

　　2.3.2.Micro LED芯片轉(zhuǎn)移難點逐步攻克，技術(shù)穩(wěn)步推進

　　

　　整個流程聽上去很簡單，但是整個轉(zhuǎn)移的過程卻有很多的難點：

　　

　　1）Micro LED芯片需要進行多次轉(zhuǎn)移（至少需要從藍寶石基板->臨時基板->硅基板），且每次轉(zhuǎn)移燈珠量非常大，對轉(zhuǎn)移工藝的穩(wěn)定性和精確度要求非常高。

　　

　　2）對于RGB全彩顯示而言，由于每一種工藝只能生產(chǎn)一種顏色的燈珠芯片，故需要將紅色、藍色、綠色燈珠芯片分別進行轉(zhuǎn)移，需要非常精準的工藝進行燈珠的定位，極大的增加了轉(zhuǎn)移的工藝難度。

　　

　　2.3.3.Micro LED彩色化——批量轉(zhuǎn)移

　　

　　市面上已經(jīng)有較為成型的燈珠批量轉(zhuǎn)移技術(shù)：美國企業(yè)X-Celeprint針對芯片轉(zhuǎn)移工藝，已經(jīng)成功的推出了μTP技術(shù)，利用該技術(shù)可以將大量小型器件（如Micro LED燈珠）在同一時間內(nèi)進行精確移動。μTP技術(shù)簡單的來說，就是使用彈性印模結(jié)合高精度運動控制打印頭，有選擇的拾取微型元器件的陣列，并將其打印到目標基板上。該技術(shù)可以通過定制化的設(shè)計實現(xiàn)單次拾取和打印多個器件，從而短時間內(nèi)高效的轉(zhuǎn)移成千上萬個器件，這項工藝流程可以實現(xiàn)大規(guī)模并行處理，實現(xiàn)批量Micro LED轉(zhuǎn)移。

　　

　　2.3.4.Micro LED彩色化的替代方案

　　

　　由于采用3色LED燈珠進行轉(zhuǎn)移較為復雜，市場上誕生了諸多Micro LED替代方案：如Leti推出的iLEDMatrix采用量子點進行全彩顯示，此種方法主要是利用紫外Micro LED發(fā)出的光來激發(fā)紅綠藍三色的發(fā)光介質(zhì)，如熒光粉或量子點，產(chǎn)生不同顏色的光，并進行配比實現(xiàn)全彩色。這種方式只需要單色LED燈珠即可實現(xiàn)全彩顯示，簡化LED燈珠轉(zhuǎn)移過程。白光LED+量子點技術(shù)或在全彩LED技術(shù)成熟前，成為一種良好的替代方案。其他的Micro LED彩色化方案還包括光學棱鏡合成法等。

　　

　　2.4.Micro LED驅(qū)動方式：主動+被動

　　

　　類似于LCD顯示屏，Micro LED驅(qū)動方式也分為被動矩陣驅(qū)動方式和主動矩陣驅(qū)動方式（TFT）兩種結(jié)構(gòu)。LED電極通過金屬鍵合工藝實現(xiàn)與硅基的CMOS驅(qū)動背板連接。在被動式矩陣驅(qū)動方式中，由一組水平像素共用同一性質(zhì)的一個電極，一組垂直像素共用同一性質(zhì)的一個電極，組成矩陣型結(jié)構(gòu)，制作成本和技術(shù)門檻較低。在主動式矩陣驅(qū)動方式中，將像素的陰極共用N型GaN層形成連接，所有像素的陽極與硅基CMOS驅(qū)動背板進行金屬鍵合，形成每個像素單獨尋址、獨立控制。

　　

　　3、Micro LED替代誰是贏家？芯片企業(yè)迎產(chǎn)業(yè)鏈整合良機

　　

　　我們假設(shè)到2019年Micro LED開始在智能手表中滲透，2019-2021年滲透率分別為20%，30%和50%；2020年Micro LED開始在VR/AR設(shè)備中滲透，2020-2021年滲透率分別為20%和30%，暫時先不考慮智能手機中Micro LED的滲透。我們在以下模型中假設(shè)智能手表采用4K屏幕，對應800萬顆Micro LED(rgb像素)；VR/AR設(shè)備采用8K屏幕，對應3300萬顆Micro LED。

　　

　　我們測算2019-2021年全球Micro LED消耗量，等效兩寸晶圓片數(shù)量分別約為87萬片，327萬片和488萬片?？紤]2016年全球消耗的LED兩寸片為8000萬片，到2021年Micro LED對芯片需求占到當前整個LED芯片年需求的5%左右。對應LED產(chǎn)值約80億元/年。

　　

　　而如果智能手表和VR/AR設(shè)備中實現(xiàn)Micro LED100%滲透，則將消耗超過1400萬片2寸片/年，占當前整個LED芯片年需求的20%左右。對應LED年產(chǎn)值超過200億每年！

　　

　　

　　Micro LED對產(chǎn)業(yè)鏈的拉動作用與小間距LED有所不同。從產(chǎn)業(yè)鏈端來看，小間距LED和Micro LED的產(chǎn)業(yè)鏈上游均為外延片生長和芯片制造環(huán)節(jié)，但是中游和下游產(chǎn)業(yè)鏈上，小間距LED和Micro LED不同。1）中游：小間距LED的中游為傳統(tǒng)的LED封裝，現(xiàn)在一般采用無引線的smd封裝形式；Micro LED無需對單個LED芯片單獨封裝，燈珠通過轉(zhuǎn)移技術(shù)直接嵌于基板上，既而對整個基板進行封裝。2）下游：小間距LED屏幕直接采用驅(qū)動電路連接各個燈珠進行驅(qū)動，而Micro LED顯示屏則類似OLED/lcd顯示屏的驅(qū)動方式，采用驅(qū)動芯片+TFT基板方式進行驅(qū)動。

　　

　　3.3.LED芯片企業(yè)是Micro LED升級浪潮中的最大受益方

　　

　　一方面，從Micro LED成本構(gòu)成看，芯片成本占絕大部分。我們在3.1節(jié)就測算過Micro LED在智能手表和VR/AR領(lǐng)域完全滲透后，就將打開200億/年的芯片市場，相當于現(xiàn)有市場需求增加20%以上。LED芯片企業(yè)將成為Micro LED最大受益方！

　　

　　而除了燈珠需求大幅增長外，我們認為芯片企業(yè)還有其他的發(fā)展機會！LED芯片企業(yè)或更多的參與到micro芯片中下游產(chǎn)業(yè)鏈：Micro LED取消了傳統(tǒng)燈珠封裝環(huán)節(jié)，上游芯片外生長和中游芯片轉(zhuǎn)移聯(lián)系極為緊密，上游企業(yè)完全有可能參與后端轉(zhuǎn)移、封裝工藝！取代傳統(tǒng)封裝企業(yè)的地位。從現(xiàn)在的實際情況來看，包括三安、瑞豐、晶電等都在通過外延、內(nèi)生的方式布局Micro LED轉(zhuǎn)移技術(shù)。

　　

　　3.4瑞豐光電

　　

　　“瑞豐光電”11年在深交所上市，是國內(nèi)LED封裝首家上市企業(yè)，國家半導體照明技術(shù)標準工作組成員單位、國家半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟成員單位、國家863課題承接單位、深圳市首批國家級高新技術(shù)企業(yè)、深圳市LED產(chǎn)業(yè)標準聯(lián)盟理事單位。

　　

　　3.4.1國內(nèi)LED封裝領(lǐng)軍企業(yè)，新產(chǎn)品多元化布局

　　

　　瑞豐光電成立于2000年，專業(yè)從事LED封裝及提供相關(guān)解決方案的國家級高新技術(shù)企業(yè),也是國內(nèi)封裝領(lǐng)域領(lǐng)軍企業(yè)，公司2002年建立國內(nèi)第一條SMDLED封裝生產(chǎn)線，是國內(nèi)最早從事SMDLED封裝的企業(yè)之一，是國內(nèi)SMDLED封裝領(lǐng)域的先行者及LED封裝領(lǐng)域的技術(shù)領(lǐng)先者公司。2016年公司營收突破十億元大關(guān)，實現(xiàn)營收11.8億元、凈利潤0.5億元；2017年公司業(yè)務仍保持較高增長勢頭。2018年1月31號發(fā)布第1次2017年年報業(yè)績預告，公司業(yè)績預增,預測:凈利潤約12100.95萬元~13600.56萬元,變動幅度為:142%~171.99%。

　　

　　主營業(yè)務

　　

　　公司專業(yè)從事LED封裝業(yè)務，業(yè)務模式是從上游三安光電等LED芯片供應商采購芯片并按照客戶需求進行定制化設(shè)計和封裝以及產(chǎn)品制造，下游主要包括照明和LCD顯示屏的背光源兩大類。照明和中大尺寸LED背光源占公司主要收入結(jié)構(gòu)，2016年照明LED和中大尺寸LED產(chǎn)品收入占比分別為46%和45%，合計超過90%收入貢獻，目前小尺寸LED背光產(chǎn)品收入規(guī)模很小。

　　

　　公司產(chǎn)品豐富，技術(shù)領(lǐng)先，與LED產(chǎn)業(yè)鏈各公司均保持持續(xù)良好的合作關(guān)系，全球LED巨頭歐司朗和飛利浦、國內(nèi)LED照明品牌歐普、國內(nèi)三大TV品牌海信、創(chuàng)維、TCL等均是公司長期合作伙伴和穩(wěn)定客戶。

　　

　　布局新產(chǎn)品

　　

　　在原有傳統(tǒng)LED照明和背光業(yè)務的基礎(chǔ)上，公司積極布局下游高成長的新產(chǎn)品和新市場，主要包括汽車LED照明和激光投影等領(lǐng)域，2017年H1公司LED新產(chǎn)品收入規(guī)模1.09億，實現(xiàn)超過400%的增速，收入占比14%，發(fā)展迅速。

　　

　　3.4.2LED行業(yè)供需結(jié)構(gòu)優(yōu)化，公司盈利能力有望提升

　　我國LED產(chǎn)業(yè)是全球的重要市場，目前我國LED行業(yè)市場規(guī)模近5000億元，過去5年CAGR接近30%。目前LED下游需求中，背光市場基本接近穩(wěn)定，照明市場將是未來驅(qū)動全球LED產(chǎn)業(yè)規(guī)模增長的主要因素；根據(jù)Digitimes數(shù)據(jù)，2016年全球LED照明市場滲透率為31.3%，仍處于較低水平。

　　

　　隨著未來LED照明滲透率的持續(xù)提升，全球LED照明市場規(guī)模將持續(xù)穩(wěn)定增長，根據(jù)咨詢機構(gòu)ZionMarketResearch數(shù)據(jù)，2016年全球LED照明市場規(guī)模為260億美元，預計到2022年將增長到540億美元，未來5年行業(yè)平均增速超過12%，仍屬于持續(xù)高增長成長性行業(yè)。

　　

　　隨著過去幾年大陸政府對LED芯片投資的巨額支持，我國LED芯片產(chǎn)能規(guī)模飛速發(fā)展，已經(jīng)全球最大產(chǎn)能所在地：根據(jù)LEDinside數(shù)據(jù)，2015年大陸LED芯片產(chǎn)能占全球47%，其次是臺灣和日本，按照近兩年各家LED芯片廠的產(chǎn)能擴張規(guī)劃，到2017年年底，大陸LED芯片廠產(chǎn)能全球份額進一步提升到54%。

　　

　　憑借下游巨大的LED應用市場和上游成熟的LED芯片供應基礎(chǔ)，我國LED封裝市場全球占比非常高，根據(jù)LEDinside統(tǒng)計數(shù)據(jù)，2015年我國LED封裝全球份額已經(jīng)超過70%，并且隨著國內(nèi)公司規(guī)模的擴張和海外公司的逐步退出，我國LED封裝的全球話語權(quán)將進一步提升。

　　

　　供需改善+集中度持續(xù)提升，產(chǎn)業(yè)鏈盈利能力改善我國LED產(chǎn)業(yè)國內(nèi)的競爭環(huán)境和結(jié)構(gòu)在持續(xù)優(yōu)化，主要體現(xiàn)在我國LED芯片和LED封裝的行業(yè)集中度的持續(xù)提升。

　　

　　2016年我國LED芯片前三大供應商分別是三安光電、華燦光電和澳洋順昌，2016年分別占全國產(chǎn)能27%、13%和3%，CR3=43%，龍頭憑借資金、客戶等優(yōu)勢積累得以存活，行業(yè)集中度顯著提升。上游芯片企業(yè)的格局穩(wěn)定也導致了價格波動收斂、日趨平穩(wěn)。

　　

　　LED封裝技術(shù)壁壘和投資門檻均低于LED芯片環(huán)節(jié)，我國LED封裝行業(yè)企業(yè)經(jīng)歷過12-14年的擴張，隨著行業(yè)增速的回落、競爭的加劇，我國LED封裝行業(yè)進入洗盤階段，行業(yè)競爭結(jié)構(gòu)得到優(yōu)化。

　　

　　目前LED封裝環(huán)節(jié)面臨上游供應商集中化的趨勢和下游產(chǎn)品降價壓力，我們判斷LED封裝行業(yè)里中小公司將面臨嚴峻壓力，而行業(yè)內(nèi)領(lǐng)先公司的規(guī)模優(yōu)勢和成本優(yōu)勢將愈發(fā)突出，將持續(xù)受益于行業(yè)供給結(jié)構(gòu)改善，從而能夠在相當程度上緩解所面臨的壓力，保證公司盈利能力的穩(wěn)定改善。

　　

　　瑞豐光電在LED照明和封裝領(lǐng)域均深耕多年，作為國內(nèi)規(guī)模和技術(shù)領(lǐng)先的LED封裝企業(yè)，我們判斷未來2-3年LED封裝行業(yè)的競爭格局的優(yōu)化將提升公司整體綜合競爭力以及盈利能力。

　　

　　3.4.3與深創(chuàng)投戰(zhàn)略合作，長期發(fā)展前景可期

　　

　　2017年7月，公司與深創(chuàng)投簽訂戰(zhàn)略合作協(xié)議，雙方利用各自優(yōu)勢，基于雙方對LED產(chǎn)業(yè)未來發(fā)展趨勢的認同，雙方規(guī)劃在如下領(lǐng)域重點進行產(chǎn)業(yè)整合：

　　

　　（1）尋求全球LED照明產(chǎn)業(yè)重構(gòu)機遇，借助雙方產(chǎn)業(yè)和資本杠桿在全球范圍內(nèi)尋求投資并購機會，提升公司行業(yè)競爭力；

　　

　?。?）重點關(guān)注車用照明相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈，在國內(nèi)外市場尋求投資并購或合作機會，加快公司在車用LED照明和智能駕駛相關(guān)領(lǐng)域的生態(tài)布局，協(xié)助公司在細分領(lǐng)域做大做強；

　　

　　（3）建立新一代半導體相關(guān)技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢，如激光光源、Micro LED等相關(guān)技術(shù)，在全球范圍內(nèi)尋求項目和技術(shù)合作機會，加快公司在此類領(lǐng)域的戰(zhàn)略性突破。

　　

　　

　　3.5.1主營收入持續(xù)提升，龍頭地位無可撼動。

　　

　　三安光電公司是目前國內(nèi)成立最早、規(guī)模最大的全色系超高亮度發(fā)光二極管外延及芯片產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)基地，是國家發(fā)改委批準的“國家高技術(shù)產(chǎn)業(yè)化示范工程”企業(yè)、國家科技部認定的“半導體照明工程龍頭企業(yè)”，承擔國家“863”、“973”計劃等多項重大課題，并擁有國家級博士后科研工作站及國家級企業(yè)技術(shù)中心。

　　

　　公司2017年度業(yè)績預告，實現(xiàn)歸屬于上市公司股東凈利潤為3.15億元—3.25億元，同比增長45.39%-50.00%。2012年至2017年，公司的營收和凈利潤穩(wěn)步增長。近三年的凈利潤同比增長率更是連創(chuàng)新高。業(yè)績增長主要由于下游需求強勁，新增產(chǎn)能逐漸到位，并且公司是行業(yè)龍頭，在規(guī)模、毛利、凈利方面都處于領(lǐng)先地位。

　　

　　公司主營

　　

　　三安主要從事LED芯片的研發(fā)，生產(chǎn)和銷售，其超高亮度LED芯片具有國際領(lǐng)先的性能。主導產(chǎn)品有LED道路照明系列、LED工業(yè)照明系列、LED室內(nèi)照明系列、LED光源系列等100多個品種。無論是產(chǎn)品范圍還是市場占有率，三安都是該領(lǐng)域的龍頭企業(yè)。

　　

　　其主營業(yè)務保持高速增長，2016的營收中，芯片、LED產(chǎn)品占到了89.46%，在2017年的利潤預測公告中，公司也表示，報告期內(nèi)，LED需求旺盛，致使公司2017年度實現(xiàn)的歸屬于母公司所有者主營業(yè)務凈利潤比上年同期有較大幅度增長。

　　

　　化合物半導體業(yè)務穩(wěn)步推進

　　

　　三安此前已投資建設(shè)6寸GaAs和GaN線，已經(jīng)具備GaAsHBT/pHEMT和GaNSBD/FET方面的技術(shù)實力。在消費電子射頻器件和IC占比逐漸加大的背景下，三安光電的GaAs、GaN業(yè)務將迎來巨大的發(fā)展機遇。

　　

　　2017年12月公司公告稱：公司與福建省泉州市人民政府和福建省南安市人民政府簽署《投資合作協(xié)議》的議案。根據(jù)協(xié)議約定：公司擬在福建省泉州芯谷南安園區(qū)投資注冊成立一個或若干項目公司，投資總額333億元。全部項目五年內(nèi)實現(xiàn)投產(chǎn)，七年內(nèi)全部項目實現(xiàn)達產(chǎn)，經(jīng)營期限不少于25年。產(chǎn)業(yè)化項目為：1、高端氮化鎵LED襯底、外延、芯片的研發(fā)與制造產(chǎn)業(yè)化項目；2、高端砷化鎵LED外延、芯片的研發(fā)與制造產(chǎn)業(yè)化項目；3、大功率氮化鎵激光器的研發(fā)與制造產(chǎn)業(yè)化項目；4、光通訊器件的研發(fā)與制造產(chǎn)業(yè)化項目；5、射頻、濾波器的研發(fā)與制造產(chǎn)業(yè)化項目；6、功率型半導體（電力電子）的研發(fā)與制造產(chǎn)業(yè)化項目；7、特種襯底材料研發(fā)與制造、特種封裝產(chǎn)品應用研發(fā)與制造產(chǎn)業(yè)化項目。達產(chǎn)后預計年收入達270億，接近目前公司年收入的3倍，化合物半導體業(yè)務的穩(wěn)步推進，勢必會成為公司成長新的增長極。

　　

　　3.5.2LED行業(yè)集中度提升，龍頭有望持續(xù)高增長

　　

　　據(jù)相關(guān)上市公司年報披露數(shù)據(jù)，2016年我國LED芯片前三大供應商分別是三安光電、華燦光電和澳洋順昌，2016年分別占全國產(chǎn)能27%、13%和3%，CR3=43%，按照目前國內(nèi)各家LED芯片廠的產(chǎn)能擴張規(guī)劃，各家份額均有顯著提升，排名前三的三安、華燦、澳洋三家的集中度持續(xù)提升，預計到2018年該三家公司全國份額分別為31%、24%和16%。并且CR3超過70%，主要由于前期行業(yè)激烈競爭，價格戰(zhàn)后中小廠商被大幅擠出，而龍頭憑借資金、客戶等優(yōu)勢積累得以存活，行業(yè)集中度顯著提升。上游芯片企業(yè)的格局穩(wěn)定也導致了價格波動收斂、日趨平穩(wěn)。三安龍頭地位更加牢固。在集中度持續(xù)提升趨勢下，三安的毛利會相對穩(wěn)定，新增產(chǎn)能將在未來持續(xù)釋放，公司業(yè)績有望維持高增長。

　　

　　3.5.3與三星戰(zhàn)略合作，有望引領(lǐng)未來市場

　　

　　公司于2月6日發(fā)布公告：全資子公司廈門三安光電有限公司（以下簡稱“廈門三安”）于2018年2月5日與SamsungElectronicsCo.,Ltd.（以下簡稱“三星電子”）簽訂了《預付款協(xié)議》，合同約定：為了建立長期的商業(yè)合作關(guān)系，三星電子將支付廈門三安1,683萬美元預付款，以換取廈門三安產(chǎn)線生產(chǎn)一定數(shù)量的用于顯示產(chǎn)品(“顯示屏”)的LED芯片，若三星電子每月的訂單量有可能超過協(xié)議約定的最高數(shù)量，雙方將提前討論擴產(chǎn)的條件。廈門三安和三星電子將持續(xù)討論Micro LED戰(zhàn)略合作，待廈門三安達到大規(guī)模量產(chǎn)產(chǎn)能時，三星電子將考慮廈門三安作為首要供應方，并協(xié)商探討一個雙方都可以接受的供應協(xié)議。通過此次戰(zhàn)略性合作，三星電子期望可以確保戰(zhàn)略性的、穩(wěn)定的供應方，廈門三安期望可以引領(lǐng)Micro LED市場。

　　

　?。?）三安作為全球的Led芯片的龍頭企業(yè)，資本會更加向其集中。據(jù)LEDinside統(tǒng)計，三安光電在全球的市場占有率為17%，行業(yè)集中帶來的市場占有率提升將進一步明顯，預計未來達到40%的占有率。我們認為公司將充分享受市場占有率提升帶來的紅利。

　　

　?。?）此次與三星在Micro LED方面戰(zhàn)略合作，體現(xiàn)了三安光電在Micro LED和MiniLED長線的布局。早在2017年6月，三安光電在全景網(wǎng)回復投資者提問時表示，Micro LED是未來的重點發(fā)展方向，公司在一兩年前就開始在研發(fā)。據(jù)測算，Micro LED在背光和顯示屏領(lǐng)域有10倍于目前市場的需求，有望為三安打開一片藍海市場。

　　

　　4、投資建議

　　

　　Micro LED市場啟動，對LED芯片需求成倍增加，直接利好LED芯片廠！首推國內(nèi)LED芯片領(lǐng)跑企業(yè)，積極儲備Micro LED技術(shù)的三安光電、瑞豐光電；建議關(guān)注華燦光電。