據了解，在最新的協(xié)議中，普瑞光電將向東芝出售其GaN-on-Si技術和相關資產，未來雙方將透過延長的授權與製造關係，增強策略技術合作。這項資產轉移協(xié)議相關程序已于5月底順利完成。

    普瑞光電執(zhí)行長Brad Bullington表示，普瑞光電與東芝將共同邁向GaN-on-Si基板LED固態(tài)照明技術的下一個里程碑，未來普瑞光電仍將致力推動GaN-on-Si技術商用化，不過，于此同時，普瑞光電將持續(xù)開發(fā)藍寶石LED基板方桉，以藉此提供客戶更高水準及創(chuàng)新服務。

    東芝企業(yè)副總裁兼半導體與儲存產品執(zhí)行副總裁Makoto Hideshima認為，與普瑞光電的合作進入新階段后，東芝就能加快8吋GaN-on-Si LED晶圓的規(guī)?；a，此舉將讓雙方各自的LED業(yè)務部門業(yè)績持續(xù)成長。不僅如此，東芝獲得的GaN-on-Si技術還將為東芝功率元件的開發(fā)與生產帶來突破。

    針對上述消息，晶元光電研發(fā)中心副總裁謝明勳指出，普瑞光電與東芝的合作動態(tài)正如同磊晶業(yè)界的投資風向球，由于GaN-on-Si技術突破需要一段更長的時間，若就單純以業(yè)界目前的進度而言，至少還需3年才能進入大尺寸基板量產的成熟階段，因此，此次的消息發(fā)布并不讓人意外。

    事實上，目前LED照明市場的基板市占仍以藍寶石基板及碳化硅(SiC)基板為主，而雖然近年GaN-on-Si基板技術亦快速崛起，但目前GaN-on-Si基板除良率外，還有幾項挑戰(zhàn)待解。

    臺積固態(tài)照明總經理譚昌琳分析，GaN-on-Si基板剛開始受到關注的原因，即硅材于半導體製程技術已相當成熟，但實際上GaN-on-Si基板在成長過程當中產生的彎曲情形，并無法適用于現有的晶圓平整設備，因此，生產GaN-on-Si基板的設備投資金額幾乎等同于投資一家新的8吋廠，而高昂的投資數目遂成為廠商發(fā)展躊躇的一大原因。

    不僅如此，現行大尺寸LED磊晶有機金屬化學氣相沉積(MOCVD)系統(tǒng)的實戰(zhàn)經驗不足，去年第四季愛思強(AIXTRON)才推出8吋產線版本，而目前12吋版本基本上仍係單片方桉，屬于磊晶廠的研發(fā)(RD)階段設備，距離正式運轉、大規(guī)模商用化還須1?2年測試時間。