1983年2月 創(chuàng)立現(xiàn)代電子株式會(huì)社
公司概要展望商業(yè)領(lǐng)域主要?dú)v程可持續(xù)經(jīng)營
持續(xù)經(jīng)營報(bào)告書倫理經(jīng)營
倫理經(jīng)營宣言倫理綱領(lǐng)組織介紹實(shí)踐體系產(chǎn)業(yè)保安方針在線舉報(bào)公司標(biāo)志
1984年 9月完成FAB II-A
1985年 10月開始批量生產(chǎn)256K的DRAM
1986年 4月設(shè)立半導(dǎo)體研究院
6月舉行第一次員工文化展覽會(huì)"Ami Carnical"
1988年 1月開發(fā)1M的DRAM
11月 在歐洲當(dāng)?shù)卦O(shè)立公司(HEE)
1989年 9月 開發(fā)4M的DRAM
11月 完成FAB III
1991年3月 開發(fā)16M的DRAM
1992年11月 開發(fā)64M的DRAM
1993年 8月 接管Maxtor公司(美國HDD生產(chǎn)公司)
9月 獲得半導(dǎo)體類ISO9001證書
1995年10月 在世界上首次開發(fā)256M的SDRAM
在美國俄勒岡州設(shè)立半導(dǎo)體工廠
1996年12月 公司股票上市
1997年5月 在世界上首次開發(fā)1G SDRAM
1998年9月 開發(fā)64M的DDR SDRAM
1999年 3月 出售專業(yè)的半導(dǎo)體組裝公司(ChipPAC)
10月 合并LG半導(dǎo)體有限公司，成立現(xiàn)代半導(dǎo)體株式會(huì)社
2000 4月 剝離電子線路設(shè)計(jì)業(yè)務(wù)'Hyundai Autonet'
8月 剝離顯示屏銷售業(yè)務(wù)'Hyundai Image Quest'
2001 3月 公司更名為"Hynix半導(dǎo)體有限公司"
5月 剝離通信服務(wù)業(yè)務(wù)'Hyundai CuriTel'
剝離網(wǎng)絡(luò)業(yè)務(wù)'Hyundai Networks'
7月 剝離CDMA移動(dòng)通信設(shè)備制造業(yè)務(wù)'Hyundai Syscomm'
8月 完成與現(xiàn)代集團(tuán)的最終分離
9月 開發(fā)世界上速度最快的128MB DDR SDRAM
2002 3月 開發(fā)1G DDR DRAM模塊
6月 在世界上首次將256MB的SDR SDRAM運(yùn)用于高終端客戶
10月 開發(fā)0.10微米、512MB DDR
11月 出售HYDIS， TFT-LCD業(yè)務(wù)部門
2003 3月 發(fā)表世界上第一個(gè)商用級(jí)的mega-level FeRAM
4月 宣布與STMicroelectronics公司簽定協(xié)議合作生產(chǎn)NAND閃存
5月 采用0.10微米工藝技術(shù)投入生產(chǎn)
超低功率256Mb SDRAM投入批量生產(chǎn)12月 宣布與PromMOS簽署長(zhǎng)期的戰(zhàn)略性MOU
7月 宣布在世界上首次發(fā)表DDR500
8月 宣布發(fā)表在DRAM行業(yè)的第一個(gè)1Gb DDR2問世。
2004 2月 成功開發(fā)NAND閃存
3月 行業(yè)首次開發(fā)超高速DDR SDRAM 550MHz
1G DDR2 SDRAM獲得Intel的認(rèn)證
6月 簽訂非內(nèi)存事業(yè)營業(yè)權(quán)轉(zhuǎn)讓協(xié)議
7月 獲得公司成立以來最大的季度營業(yè)利潤
8月 與中國江蘇省無錫市簽訂關(guān)于在中國建廠合作協(xié)議11月 與意法半導(dǎo)體公司(STMicroelectronics)簽訂 關(guān)于在中國合資建廠的協(xié)議
2005
1月 與臺(tái)灣茂德科技簽訂戰(zhàn)略性合作伙伴協(xié)議
3月 發(fā)布2004年財(cái)務(wù)報(bào)表，實(shí)現(xiàn)高銷售利潤
4月 海力士-意法半導(dǎo)體有限公司在中國江蘇無錫舉行開工典禮
7月 提前從企業(yè)重組完善協(xié)議中抽身而出
11月 業(yè)界最先推出JEDEC標(biāo)準(zhǔn)8GB DDR2 R-DIMM
12月 世界最先開發(fā)512Mb GDDR4、業(yè)界最高速度及最高密度Graphics DRAM
2006
1月 發(fā)表與M-Systems公司的DOC H3共同開發(fā)計(jì)劃(閃存驅(qū)動(dòng)器內(nèi)置的新型DiskOnChip)3月 業(yè)界最先獲得英特爾對(duì)80nm 512Mb DDR2 DRAM的產(chǎn)品認(rèn)證
9月 300mm研究生產(chǎn)線下線
10月 創(chuàng)下創(chuàng)立以來最高業(yè)績(jī)
通過海力士ST半導(dǎo)體(株)的竣工，構(gòu)建國際性生產(chǎn)網(wǎng)絡(luò)
12月 業(yè)界最先發(fā)表60nm 1Gb DDR2 800MHz基礎(chǔ)模塊
開發(fā)出世界最高速200MHz 512Mb Mobile DRAM
2006
年創(chuàng)下最高業(yè)績(jī)及利潤
2007
1月 開發(fā)出以"晶圓級(jí)封裝(Wafer Level Package)"技術(shù)為基礎(chǔ)的超高速存儲(chǔ)器模塊
3月 開發(fā)出世界最高速ECC Mobile DRAM
發(fā)表"生態(tài)標(biāo)記(ECO Mark)"
與Toshiba簽署半導(dǎo)體特許商戶許可證及供應(yīng)合同
與SanDisk就特許商戶許可證合同達(dá)成協(xié)議及簽署關(guān)于對(duì)x4技術(shù)建立合作公司的諒解備忘錄(MOU)
金鐘甲就任新任代表理事、社長(zhǎng)
4月 DOC H3開始大量生產(chǎn)
在韓國清州300mm設(shè)施開工
實(shí)現(xiàn)最高水平的營業(yè)利潤率
5月 業(yè)界最先獲得關(guān)于DDR3 DRAM的英特爾產(chǎn)品認(rèn)證
7月 發(fā)表企業(yè)中長(zhǎng)期總體規(guī)劃
8月 開發(fā)出業(yè)界最高速、最小型1Gb Mobile DRAM
9月 以24層疊芯片(stacked chips)，世界最先開發(fā)NAND閃存MCP
10月 與Ovonyx公司簽署關(guān)于PRAM的技術(shù)及許可證合同
與環(huán)境運(yùn)動(dòng)聯(lián)合(韓國)簽署關(guān)于在環(huán)境管理上進(jìn)行合作的合同
11月 WTO做出判決海力士進(jìn)口芯片相關(guān)報(bào)復(fù)性關(guān)稅一案，日本敗訴與SiliconFile公司簽署CIS事業(yè)合作協(xié)議獲得對(duì)1Gb DDR2 DRAM的英特爾產(chǎn)品認(rèn)證業(yè)界最先開發(fā)1Gb GDDR5 DRAM
12月 成功發(fā)行國際可兌換券(global convertible notes)
2008
1月 發(fā)表00MHz、1GB/2GB UDIMM 產(chǎn)品認(rèn)證
2月 引進(jìn)2-Rank 8GB DDR2 RDIMM
5月 與ProMOS公司簽署關(guān)于加強(qiáng)長(zhǎng)期戰(zhàn)略性合作的修改案
8月 清州第三工廠的300mm組裝廠竣工
世界最先推出使用metaRAMtm 技術(shù)的16 GB 2-Ran kR-DIMM
為引進(jìn)嶄新而創(chuàng)新性NAND閃存存儲(chǔ)器產(chǎn)品及技術(shù)的Numonyx及海力士的努力擴(kuò)大
11月 引進(jìn)業(yè)界最高速7Gbps、1Gb GDDR5 Graphics DRAM
12月 世界最先開發(fā)2Gb Mobile DRAM
2009年
1月 世界最先獲得關(guān)于以伺服器4GB ECC UDIMM用模塊為基礎(chǔ)的超高速DDR3的英特爾產(chǎn)品認(rèn)證
2月 世界最先開發(fā)44nm DDR3 DRAM
3月 世界最先發(fā)表8GB 2-Rank DDR3 R-DIMM 產(chǎn)品認(rèn)證
4月 世界最先開發(fā)低耗電-高速(Low Power-High Speed) Mobile 1Gb DDR2 DRAM
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