隨著當前智能型手機、SSD 等產(chǎn)品的市場需求強烈，包括閃存、內(nèi)存等儲存芯片需求大量成長，近期價格也擺脫低潮，持續(xù)上漲，這樣的機會點這也給了中國相關企業(yè)介入儲存芯片市場的發(fā)展契機。根據(jù)外電的報導，在這波儲存芯片的熱潮下，中國本身也將在 2017 年推出 32 層堆棧的 3D NAND 閃存。雖然，這樣的技術相較南韓三星、日本東芝等國際大廠來說仍有落差，但總是為中國閃存市場跨出第一步。

 

 

 

在中國發(fā)展半導體產(chǎn)業(yè)的規(guī)劃中，儲存芯片的發(fā)展名列最優(yōu)先位置，也是全國各地都搶著爭取的項目。其中，中國國家級的儲存芯片基地在武漢，目前投資超過 240 億美元（約新臺幣 7,563 億元）。之前由新芯科技主導，在 2016 年 7 月份紫光集團收購了新芯科技大多數(shù)股權之后，現(xiàn)在已經(jīng)變成了紫光集團主導，并預計 2017 年正式推出自主生產(chǎn)的 32 層堆棧 3D NAND 閃存。

 

2015 年，國家級儲存芯片基地確定落腳武漢之后，由武漢新芯科技公司負責建設的 12 吋晶圓廠，已經(jīng)于 2016 年 3 月份正式動工。整個計劃預計分為三期，現(xiàn)在啟動的是第一期，主要目標是生產(chǎn) 3D NAND 閃存為主。而在 2018 年將啟動的第二期建設，規(guī)劃是上則是以 DRAM 內(nèi)存為主。至于， 2019 年啟動第三期建設，主要目標則為晶圓代工服務。而產(chǎn)能部分，2020 年目標為每月 30 萬片，到了 2030 年則是每月 100 萬片。

 

2016 年 7 月份，紫光集團收購了新芯科技多數(shù)股份之后，隨即成立了武漢長江存儲科技 （TRST），紫光集團持股超過 50% ，董事長趙偉國也將兼任長江存儲科技的董事長。這事情所顯示出的意義，即是紫光集團在收購美光觸礁，購并 WD 也不成功的情況下，現(xiàn)在總算是可以正式進軍儲存芯片領域。而且根據(jù)規(guī)畫，長江存儲最快在 2017 年底，就將正式推出中國本土生產(chǎn)的 32 層堆棧 3D NAND 閃存。

 

過去，新芯科技主要以生產(chǎn) NOR 閃存為主，而當前的 NAND 閃存其技術層次要高于 NOR 閃存，而主要技術來源是飛索半導體（Spansion）。因此，考慮到與國際大廠三星、Hynix、東芝、美光、Intel 等公司的技術差距，中國本土生產(chǎn)的 32 層堆棧 3D NAND 閃存的其已經(jīng)有一定的技術層次。只是，2017 年底推出時，這些國際大廠包括 48 層堆棧，甚至是 64 層堆棧的 3D NAND 閃存可能早已經(jīng)問世。

 

不過，在中國自主發(fā)展儲存芯片的政策，而且相關業(yè)者在政府扶持的情況下，未來技術上依舊會持續(xù)追趕。以新芯科技來說，在 2017 年推出 32 層堆棧 3D NAND 閃存，也預計將在 2018 年底前推出 48 層堆棧的 3D NAND 閃存，逐步縮小技術上的差距。