最近不知道大家注意到了沒，這兩三個月很少再看到內(nèi)存大漲價的新聞了，實際情況也確實是這樣，主流8GB單條內(nèi)存價格達到了巔峰，售價直逼千元，不過這個價位沒維持幾天，很快會又降到了800元以內(nèi)，并在這個價位穩(wěn)定下來了。

　　

　　毫不客氣地說，上次8GB內(nèi)存售價沖擊千元并非合理的市場行為，因為內(nèi)存顆粒雖然一直在穩(wěn)中有漲，但是10月底并沒有什么突發(fā)情況，蘋果iPhone新品內(nèi)容容量未增，并沒有對內(nèi)存供應(yīng)造成多大沖擊，所以當時的暴漲更像是經(jīng)銷商、生產(chǎn)商等上下游廠商的一次合謀漲價，想進一步推高內(nèi)存價格，JS希望囤積居奇，只不過市場沒買賬，被高價抑制了需求的DIY玩家無動于衷，價格很快又跌回之前的水平。

　　

　　那么典型的8GB DDR4-2400內(nèi)存700多元的售價到底合理不合理呢？我們可以來算一下，集邦科技旗下的Dramxchnage網(wǎng)站上可以查到內(nèi)存顆粒的價格，目前8Gb（注意大小寫的不同）DDR4-2133/2400顆粒平均報價在9.6美元左右，那么8GB芯片成本就要494元了。

　　

　　不過內(nèi)存模組還需要PCB、散熱器（非必須）等原料，這些加起來至少算作100塊吧，那么8GB內(nèi)存無聊成本大概就要600塊了，這么算的話700多的售價還真不貴——不過這里的計算太簡化了，內(nèi)存大廠的芯片采購價使用的是合約價，比9.6美元的現(xiàn)貨價要便宜，PCB、散熱器成本在每家內(nèi)存廠商中也不一樣，而且還要考慮到物流、稅收等等成本，折衷下來內(nèi)存廠商的利潤空間也不低，這兩年來內(nèi)存領(lǐng)域的廠商日子都好過多了，三星、美光及SK Hynix三大供應(yīng)商利潤可以說暴漲。

　　

　　內(nèi)存價格2018年走勢：現(xiàn)在繼續(xù)漲，下半年或轉(zhuǎn)跌

　　

　　三星作為全球最大的內(nèi)存顆粒供應(yīng)商，一家占據(jù)的份額就有45%之多，所以在這一波內(nèi)存（還有閃存）漲價中賺的也是最多的，不過前幾天三星股價還遭遇過一次下跌，累計跌幅超過7.5%，SK Hynix也跌了6.2%，原因就是市場看衰內(nèi)存價格。

　　

　　報道稱去年Q4季度內(nèi)存芯片價格跌了5%，分析師們預測今年的存儲芯片增幅將只有去年的一半，也就是只增長30%左右，2017年存儲芯片市場增長了70%，行業(yè)規(guī)模達到了1220億美元。

　　

　　這件事代表著市場正在看衰存儲芯片市場，對繼續(xù)保持高價位持悲觀態(tài)度，不過分析家們的預測只能說對了一半，內(nèi)存市場的價格雖然在去年Q4有所下跌，但是2018年Q1季度依然在上漲，三星等公司已經(jīng)給客戶公告過Q1季度內(nèi)存顆粒合約價上漲約5%。由此看來，2018年期待內(nèi)存大降價并不容易，Q1這樣的淡季都在漲價，Q2要為Q3、Q4旺季大量備貨，售價更不會輕易下降了。

　　

　　不過下半年的情況就有很多變數(shù)了，目前來內(nèi)存閃存都會降價，我們也傾向于降價，理由主要如下：

　　

　　智能手機市場遇冷，內(nèi)存漲價缺少支撐理由了

　　

　　從2016年持續(xù)到現(xiàn)在的內(nèi)存芯片大漲價，其中最重要的一個理由就是市場需求高漲，特別是移動內(nèi)存受益于智能手機內(nèi)存容量越來越大、銷量越來越高，因此出現(xiàn)了供需失衡。不過到了2018年，智能手機對內(nèi)存的高需求沒這么夸張了，從去年下半年到現(xiàn)在發(fā)布的中高端手機依然停留在4GB到6GB內(nèi)存之間，8GB型號鳳毛麟角。

　　

　　更重要的是，智能手機銷量也沒有達到預期，這個市場早就不是紅海了，來自中國信息通訊研究院的報告稱去年12月國內(nèi)手機銷量4261萬部，同比下滑32.5%，1-12月總銷量4.91億部，同比下滑了12.3%，其中國產(chǎn)品牌銷量4.36億部，同比下滑12.4%。

　　

　　不只是中國手機廠商銷量下滑，三星、蘋果等國際品牌同樣也遇到了各種危機，iPhone 8銷量不佳、iPhone X不如預期等傳聞也是甚囂塵上，一切都說明了智能手機市場的窘境，而智能手機用的移動內(nèi)存是內(nèi)存出貨量的大頭，占比接近40%，這個大市場失去了增長，對內(nèi)存市場供需有強烈改變，現(xiàn)在增長動力沒了，內(nèi)存想繼續(xù)漲價也失去了理由。

　　

　　

　　在解決供需失衡這個問題上，除了智能手機市場導致的需求不再大幅增加之外，產(chǎn)能增長也將是推動內(nèi)存降價的一個關(guān)鍵。就在內(nèi)存漲價的這一年中，賺到大錢的三星、美光、SK Hynix也開始加大資本支出，提高內(nèi)存以及閃存的產(chǎn)能，考慮到晶圓廠一到兩年的建設(shè)周期，從2016到2018年正好開始大規(guī)模量產(chǎn)了，2018年的內(nèi)存芯片產(chǎn)能增長可能比預期的還要快。

　　

　　海力士早前宣布在中國無錫投資86億美元新建內(nèi)存工廠，月產(chǎn)能高達20萬片晶圓，三星也將去年的資本支出增加到了300多億美元，內(nèi)存產(chǎn)能也將從40萬片晶圓/月提升到50萬片晶圓/月以上。美光在收購臺灣華亞科之后也宣布投資20億美元提升內(nèi)存產(chǎn)能，并推進13nm等先進工藝內(nèi)存研發(fā)。三大上游廠商發(fā)力擴產(chǎn)，使得2018年內(nèi)存總產(chǎn)能提升一個臺階，預計會從今年Q3季度之后陸續(xù)量產(chǎn)上市，下半年內(nèi)存市場的供應(yīng)情況將會大幅逆轉(zhuǎn)。

　　

　　發(fā)改委出手，不會坐視內(nèi)存大漲價

　　

　　正常的市場經(jīng)濟中，內(nèi)存漲價、降價本應(yīng)該是市場行為，現(xiàn)在隨著產(chǎn)能增加、需求下降，內(nèi)存價格回歸理性也是正常的，但是回顧這一年的漲價過程，這一波漲價也有很多不合理的地方，而中國市場及消費者受傷最為嚴重，內(nèi)存一年漲價三四倍，中國市場的消費者只能默默接受，國產(chǎn)廠商在此領(lǐng)域毫無競爭。

　　

　　不過這個問題現(xiàn)在也引發(fā)了政府部門的注意，前不久有報道稱發(fā)改委約談了三星等公司，了解內(nèi)存閃存漲價等問題，盡管現(xiàn)在只是約談，并沒有采取什么實質(zhì)性調(diào)查行動，但是這對市場發(fā)出了一個強烈信號，那就是不會坐視消費者權(quán)益受損。現(xiàn)在的約談可能不會引發(fā)內(nèi)存降價，不過此舉對一些操作內(nèi)存價格的經(jīng)銷商、廠商會有一定的威懾力，給不合理的漲價降降溫。

　　

　　綜合這三點來看，2018年內(nèi)存市場變數(shù)很多，上半年由于市場慣性，內(nèi)存芯片價格還在上漲，盡管漲幅并不高。不過從下半年的情況來看，由于智能手機市場需求下降，再加上下半年新建的內(nèi)存工廠產(chǎn)能拉升，內(nèi)存供需情況會有改變甚至逆轉(zhuǎn)，降價是很大概率的事。

　　

　　2018年如何選內(nèi)存？頻率、馬甲、RGB、核心哪個更重要？

　　

　　如何選擇內(nèi)存呢？以主流的DDR4平臺為例，由于顆粒原因，4GB DDR4內(nèi)存條非常少，現(xiàn)在起步幾乎都是8GB DDR4單條了，之前起始頻率是2133MHz，現(xiàn)在以DDR4-2400為多。在頻率問題上，建議普通玩家不要糾結(jié)太多，3000+甚至4000+MHz的高頻率內(nèi)存很好很強大。

　　

　　但目前系統(tǒng)性能瓶頸不在內(nèi)存上，超高頻內(nèi)存對性能提升有限，但價格要貴很多，不是發(fā)燒友的話不需要考慮超高頻率的內(nèi)存條了，DDR4-2400即可，也有一些價格較低的DDR4-3000/3200內(nèi)存條，這種也可以選擇。

　　

　　內(nèi)存條還有普條、馬甲條之分，普條價格低一些，不過現(xiàn)在的市場情況不同了，由于整體價格高漲，普條相比之下已經(jīng)沒什么價格優(yōu)勢了，馬甲內(nèi)存則是大行其道，雖然廠商總是宣傳各種馬甲設(shè)計多么炫酷、材質(zhì)多好，不過這些馬甲基本都是鋁合金材質(zhì)，能給內(nèi)存增加一點防護，提高一些散熱效率，不過最主要的作用其實還是——裝B。

　　

　　當然，馬甲條還是上LED燈的基礎(chǔ)，現(xiàn)在的內(nèi)存在頻率、性能、PCB用料越來越相似，能玩出花樣的就是LED燈了，高端點的內(nèi)存現(xiàn)在普通上RGB LED燈了，有些還支持與主板的RGB同步控制。在要不要燈這個問題上，很多玩家的意見截然相反，不喜歡光污染的都不想看到LED燈，覺得自然就好。喜歡炫酷、個性的玩家當然就是非RGB燈不選了，現(xiàn)在售價在800元以上的8GB DDR4內(nèi)存普通都帶RGB燈了。

　　

　　一般玩家選擇內(nèi)存關(guān)注的就是上面這些了，不過這些對部分發(fā)燒友來說可能不重要了，他們看重的首先是內(nèi)存顆粒，目前DDR4內(nèi)存顆粒主要是三星、美光、SK Hynix在供應(yīng)，這三家的顆粒雖然都是DDR4規(guī)范，但是每家的工藝、技術(shù)不同，所以就產(chǎn)生了不同的核心，其中三星的B Die核心顆粒公認性能最好，穩(wěn)定性也極佳，在極限超頻時CAS（CL）、TRCD、TRP三個時序完全同步，能夠保持時序C12-12-12運行在3866-4300MHz（或更高）完成各類世界記錄的Benchmark測試，是發(fā)燒友的首選。

　　

　　美光的D9顆粒使用了20nm工藝，頻率峰值可以達到3333-3466MHz（20%左右良率），3000MHz的良率在50%左右，極限超頻上暫時沒有驚艷之處。SK Hynix的MFR、AFR顆粒峰值頻率一般維持在3200-3333MHz（20%左右良率），60%良率集中在3000MHz；如果想超頻跑到3600-4000MHz，需要加壓到2V左右。

　　

　　

　　持續(xù)近兩年的漲價，不僅讓消費者在裝機時需要付出更高的成本，同時也讓消費者選擇內(nèi)存有更多的風險——由于高價內(nèi)存有利可圖，這一年來有很多新廠商加入了內(nèi)存市場，而一些小廠商苦于拿不到穩(wěn)定、高品質(zhì)的內(nèi)存顆粒供應(yīng)，也鋌而走險玩起了花邊球，使用瑕疵品顆粒等等，同時用低價來吸引消費者，這可能讓不少玩家心動，但是一旦買了這些看似高性價比的雜牌內(nèi)存，對系統(tǒng)穩(wěn)定性、可靠性及數(shù)據(jù)安全都是個隱患。